2024年3月31日，新加坡国立大学Siu ZhuoBin博士来访理学院并做学术报告。Siu ZhuoBin博士首先参观了理学院大学物理实验中心和电子信息科学与技术实验中心，对中心研究生在新型电路设计和实验方面的创新性工作表现出浓厚的兴趣，并给予了积极的认可。

随后，Siu ZhuoBin博士在明理楼103开展学术报告，会议由理学院院长徐中辉教授主持，理学院和信息工程学院部分研究生及教师参加会议。Siu ZhuoBin博士围绕“A primer on topolectrical circuits and non-Hermitian physics”进行了详细的报告。报告讲述了由电容器和电感器等无损基本电气元件组成的拓扑电路阵列的丰富特性。电路的高阶拓扑相位表现出高阶拓扑的特征，即与强局部化角模的非常规体边界对应，以及更高的绕组数。在存在长程相互作用的情况下出现了II型角模，这是通过引入次近邻耦合电容在TE电路中实现的。凭借其灵活性，TE电路提供了一个理想的平台来展示长程相互作用产生的高阶拓扑相位的不寻常特征和不同类型的鲁棒拓扑角模式。

报告结束后，老师和同学们积极提问，报告人都逐一作出了回答。本次报告会内容丰富，针对性强，充分展示了拓扑电路领域独有的魅力和新奇拓扑物理现象。此次会议让我们进一步了解拓扑电路领域的技术前沿、拓宽了国际学术视野，有效加强了国际交流与合作。